| Параметры |
| Производитель | IDT, Integrated Device Technology Inc. |
| Ряд | - |
| Упаковка | Масса |
| Статус продукта | Активный |
| Тип | Неустойчивый |
| Формат памяти | СРАМ |
| Технология | SRAM - синхронный, SDR (ZBT) |
| Размер | 4,5 Мбит |
| Организация | 256К х 18 |
| Интерфейс памяти | Параллельно |
| Время цикла записи — Word, Page | - |
| Время доступа | 8,5 нс |
| Напряжение питания | 3135 В ~ 3465 В |
| Рабочая температура | 0°С ~ 70°С (ТА) |
| Тип монтажа | Поверхностный монтаж |
| Пакет/ключи | 165-ТБГА |
| Поставщик пакета оборудования | 165-КАБГА (13х15) |
| Базовый номер продукта | 71В3559 |
| ECCN | 3A991B2A |
| ХТСУС | 8542.32.0041 |
| Стандартный пакет | 1 |
SRAM — синхронная, SDR (ZBT) IC-память 4,5 Мбит, параллельная, 8,5 нс, 165-CABGA (13x15)