| Параметры |
| Производитель | IDT, Integrated Device Technology Inc. |
| Ряд | - |
| Упаковка | Поднос |
| Статус продукта | Устаревший |
| Тип | Неустойчивый |
| Формат памяти | СРАМ |
| Технология | SRAM – синхронный, SDR |
| Размер | 4,5 Мбит |
| Организация | 128К х 36 |
| Интерфейс памяти | Параллельно |
| Тактовая частота | 200 МГц |
| Время цикла записи — Word, Page | - |
| Время доступа | 3,1 нс |
| Напряжение питания | 3135 В ~ 3465 В |
| Рабочая температура | 0°С ~ 70°С (ТА) |
| Тип монтажа | Поверхностный монтаж |
| Пакет/ключи | 119-БГА |
| Поставщик пакета оборудования | 119-ПБГА (14х22) |
| Базовый номер продукта | 71В35761Й |
| Статус RoHS | не соответствует RoHS |
| ECCN | 3A991B2A |
| ХТСУС | 8542.32.0041 |
| Стандартный пакет | 84 |
SRAM — синхронная, микросхема памяти SDR 4,5 Мбит, параллельная, 200 МГц, 3,1 нс, 119-PBGA (14x22)