IDT, Integrated Device Technology Inc 71V416S12YG

IC SRAM 4 МБИТ ПАРАЛЛЕЛЬНО 44SOJ

Производитель: IDT, Integrated Device Technology Inc.
Номер производителя: IDT, Integrated Device Technology Inc 71V416S12YG
Упаковка: Масса
Техническая спецификация:-
Запас: 4867
Артикул: 71В416С12ИГ
Цены:мы придерживаемся исключительно гибкой и конкурентной ценовой политики.

Количество:

Подробности

Параметры
Статус продукта	Активный
Тип	Неустойчивый
Формат памяти	СРАМ
Технология	SRAM — асинхронный
Размер	4 Мбит
Организация	256К х 16
Интерфейс памяти	Параллельно
Время цикла записи — Word, Page	12нс
Время доступа	12 нс
Напряжение питания	3 В ~ 3,6 В
Рабочая температура	0°С ~ 70°С (ТА)
Тип монтажа	Поверхностный монтаж
Пакет/ключи	44-BSOJ (ширина 0,400 дюймов, 10,16 мм)
Поставщик пакета оборудования	44-СОЮ
Базовый номер продукта	71В416С
ХТСУС	0000.00.0000
Стандартный пакет	1
Производитель	IDT, Integrated Device Technology Inc.
Ряд	-
Упаковка	Масса

SRAM — микросхема асинхронной памяти, 4 Мбит, параллельная, 12 нс, 44-SOJ