| Параметры |
| Производитель | IDT, Integrated Device Technology Inc. |
| Ряд | - |
| Упаковка | Масса |
| Статус продукта | Активный |
| Тип | Неустойчивый |
| Формат памяти | СРАМ |
| Технология | SRAM — асинхронный |
| Размер | 4 Мбит |
| Организация | 256К х 16 |
| Интерфейс памяти | Параллельно |
| Время цикла записи — Word, Page | 15нс |
| Время доступа | 15 нс |
| Напряжение питания | 3 В ~ 3,6 В |
| Рабочая температура | -40°С ~ 85°С (ТА) |
| Тип монтажа | Поверхностный монтаж |
| Пакет/ключи | 44-BSOJ (ширина 0,400 дюймов, 10,16 мм) |
| Поставщик пакета оборудования | 44-СОЮ |
| Базовый номер продукта | 71В416С |
| ECCN | 3A991B2A |
| ХТСУС | 8542.32.0041 |
| Стандартный пакет | 1 |
SRAM — ИС асинхронной памяти, 4 Мбит, параллельной, 15 нс, 44-SOJ