| Параметры |
| Производитель | IDT, Integrated Device Technology Inc. |
| Ряд | - |
| Упаковка | Масса |
| Статус продукта | Устаревший |
| Тип | Неустойчивый |
| Формат памяти | СРАМ |
| Технология | SRAM — асинхронный |
| Размер | 4 Мбит |
| Организация | 512К х 8 |
| Интерфейс памяти | Параллельно |
| Время цикла записи — Word, Page | 12нс |
| Время доступа | 12 нс |
| Напряжение питания | 3 В ~ 3,6 В |
| Рабочая температура | 0°С ~ 70°С (ТА) |
| Тип монтажа | Поверхностный монтаж |
| Пакет/ключи | 44-ТСОП (ширина 0,400 дюймов, 10,16 мм) |
| Поставщик пакета оборудования | 44-ЦОП II |
| Базовый номер продукта | 71В424 |
| Статус RoHS | не соответствует RoHS |
| Уровень чувствительности к влаге (MSL) | 3 (168 часов) |
| Статус REACH | Затронуто REACH |
| ECCN | 3A991B2A |
| ХТСУС | 8542.32.0041 |
| Стандартный пакет | 1 |
SRAM — микросхема асинхронной памяти, 4 Мбит, параллельная, 12 нс, 44-TSOP II