IDT, Integrated Device Technology Inc 71V65602S133BQ
IC SRAM 9MBIT PARALLEL 119PBGA
- Проиджоделх: IDT, Integrated Device Technology Inc
- NoMerPOIзVODITELEL: IDT, Integrated Device Technology Inc 71V65602S133BQ
- Епаково: МАССА
- Theхniчeskaya opehy-fikaцian: PDF
- ЗapaS: 6652
- Sku: 71V65602S133BQ
- Xenobraзavanie: Mы ofзdali yasklючotelno giebkuю и коэнкузенто.
| Парметр | |
|---|---|
| Млн | IDT, Integrated Device Technology Inc |
| В припании | - |
| Упако | МАССА |
| Степень Продукта | Активна |
| ТИП ПАМАТИ | Nestabilnый |
| Формат пэмаи | Шram |
| Тела | SRAM - Synchronous, SDR (ZBT) |
| Raзmerpmayti | 9 марта |
| Органихая | 256K x 36 |
| ИНЕРФЕРСП | Парлель |
| ТАКТОВА | 133 мг |
| Верный | - |
| Вернее | 4,2 млн |
| Napraheneee - posta | 3.135V ~ 3.465V |
| Rraboч -yemperatura | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) |
| МОНТАНАНГИП | Пефер |
| PakeT / KORPUES | 119-BGA |
| ПАКЕТИВАЕТСЯ | 119-pbga (14x22) |
| Baзowый nomer prodikta | 71V65602 |
| Статус Ройс | Rohs |
| Вернояж | 3 (168 чASOW) |
| Доусейн Статуса | DOSTISH |
| Eccn | 3A991B2A |
| Htsus | 8542.32.0041 |
| Станодар | 1 |
SRAM - Synchronous, SDR (ZBT) Параллель IC 9MBIT 133 мг 4,2 млн. 119 -PBGA (14x22)
Болх
- ONSEMI MM74C89N
- ONSEMI MM74C910N
- Analog Devices Inc./maxim Integrated MXD1210CSA
- ONSEMI NMC27C64N200
- ONSEMI 74F189PC
- ONSEMI 74F219PC
- ONSEMI NMC27C64Q150
- Microchip Technology 93lc56/p
- Microchip Technology 93LC56/SN
- Microchip Technology 93AA46/SN
- Microchip Technology 24C65/p
- Microchip Technology 93lc66/p
- Microchip Technology 93LC66/SN
- Microchip Technology 93AA56/SN
- Microchip Technology 93LC46/p