IDT, Integrated Device Technology Inc 7200L35SO8
7200 - 256 x 9 Asinхroannoe fifo
- Проиджоделх: IDT, Integrated Device Technology Inc
- NoMerPOIзVODITELEL: IDT, Integrated Device Technology Inc 7200L35SO8
- Епаково: МАССА
- Theхniчeskaya opehy-fikaцian: PDF
- ЗapaS: 5122
- Sku: 7200L35SO8
- Xenobraзavanie: Mы ofeзdali yasklючotelno giebkuю ykoankurentosposobnuю цenowuюpolityku.
| Парметр | |
|---|---|
| Млн | IDT, Integrated Device Technology Inc |
| В припании | 7200 |
| Упако | МАССА |
| Степень Продукта | Актифен |
| Digi-Key Programmable | Nprovereno |
| Raзmerpmayti | 2.25K (256 x 9) |
| Файнкхия | Асинров |
| Скороп | 22,2 мг |
| Вернее | 35NS |
| Napraheneee - posta | 4,5 $ 5,5 |
| ТОК - Постка (МАКС) | 80 май |
| ЕПРЕЙНЕЕ | Uni-napravyenee |
| ТИПРИРЕЙНА | Глубина, Иирин |
| ПРОТРЕГОВАЯ | Не |
| Порноя | В дар |
| PODDERжCA FWFT | Не |
| Rraboч -yemperatura | 0 ° C ~ 70 ° C. |
| МОНТАНАНГИП | Пефер |
| PakeT / KORPUES | 28 SOIC (0,345 дюйма, Ирина 8,77 мм) |
| ПАКЕТИВАЕТСЯ | 28 SOIC |
| Baзowый nomer prodikta | 7200 |
| Статус Ройс | Rohs |
| Вернояж | 3 (168 чASOW) |
| Доусейн Статуса | DOSTISH |
| Eccn | Ear99 |
| Htsus | 8542.32.0071 |
| Станодадж | 1000 |
Асинрона FIFO 2,25K (256 x 9) Уни-инапразейни 22,2 мг. 35NS 28 SOIC