Параметры |
Производитель | GigaDevice Semiconductor (HK) Limited |
Ряд | - |
Упаковка | Поднос |
Статус продукта | Активный |
Тип | Энергонезависимый |
Формат памяти | ВСПЫШКА |
Технология | ВСПЫШКА – НО |
Размер | 64 Мбит |
Организация | 8М х 8 |
Интерфейс памяти | SPI — четырехканальный ввод-вывод |
Тактовая частота | 120 МГц |
Время цикла записи — Word, Page | 50 мкс, 2,4 мс |
Напряжение питания | 2,7 В ~ 3,6 В |
Рабочая температура | -40°С ~ 85°С (ТА) |
Тип монтажа | Поверхностный монтаж |
Пакет/ключи | 24-ГАТБ |
Поставщик пакета оборудования | 24-ТФБГА (6х8) |
Базовый номер продукта | GD25Q64 |
Статус RoHS | Соответствует ROHS3 |
Уровень чувствительности к влаге (MSL) | 3 (168 часов) |
Статус REACH | REACH не касается |
ECCN | 3A991B1A |
ХТСУС | 8542.32.0071 |
Стандартный пакет | 4800 |
FLASH — ИС память NOR 64 Мбит SPI — Quad I/O 120 МГц 24-TFBGA (6x8)