Infineon Technologies BFP182WE6327
RF Transistor, L Band, NPN
- Проиджоделх: Infineon Technologies
- NoMerPOIзVODITELEL: Infineon Technologies BFP182WE6327
- Епаково: МАССА
- Theхniчeskaya opehy-fikaцian: PDF
- ЗapaS: 27
- Sku: BFP182WE6327
- Xenobraзavanie: Mы ofeзdali yasklючotelno giebkuю ykoankurentosposobnuю цenowuюpolityku.
| Парметр | |
|---|---|
| Млн | Infineon Technologies |
| В припании | - |
| Упако | МАССА |
| Степень Продукта | Актифен |
| Это | Npn |
| Napraheneee - raзbiroka liзlywelelelelekelekelelelelekeleks | 12 |
| ASTOTA - PRERESHOD | 8 Гер |
| ХUMOVAIN -ANVERAIRA (DB TIP @ F) | 0,9 деб ~ 1,3 дебрни 900 мг ~ 1,8 гг. |
| Прирост | 22 дБ |
| Синла - МАКС | 250 м |
| DCTOKKILENEENEEE (hfe) (min) @ ic, vce | 70 @ 10ma, 8 В |
| Current - Collector (IC) (MMAKS) | 35 май |
| Rraboч -yemperatura | 150 ° C (TJ) |
| МООНТАНГИП | Пефер |
| PakeT / KORPUES | SC-82A, SOT-343 |
| ПАКЕТИВАЕТСЯ | PG-SOT343-4 |
| Статус Ройс | Rohs3 |
| Верный | 1 (neograniчennnый) |
| Доусейн Статуса | DOSTISH |
| Eccn | Ear99 |
| Htsus | 8541.21.0075 |
| Станодадж | 3000 |
RF Transistor NPN 12V 35MA 8 ГГц 250 мст
