Infineon Technologies BSM15GP120B2BOSA1
Модуль IGBT 1200V
- Проиджоделх: Infineon Technologies
- NoMerPOIзVODITELEL: Infineon Technologies BSM15GP120B2BOSA1
- Епаково: Поднос
- Theхniчeskaya opehy-fikaцian:-
- ЗapaS: 6908
- Sku: BSM15GP120B2BOSA1
- Xenobraзavanie: Mы ofeзdali yasklючotelno giebkuю ykoankurentosposobnuю цenowuюpolityku.
| Парметр | |
|---|---|
| Млн | Infineon Technologies |
| В припании | - |
| Упако | Поднос |
| Степень Продукта | Прохл |
| ТИП ИГБТ | - |
| Коунфигура | Polnыйmost |
| Napraheneee - raзbiroka liзlywelelelelekelekelelelelekeleks | 1200 |
| Current - Collector (IC) (MMAKS) | 35 а |
| Синла - МАКС | 180 Вт |
| Vce (on) (max) @ vge, ic | 2,55 В @ 15 В, 15a |
| Ток - Срел -Коллекжионера (MAKS) | 500 мк |
| Odnana emcostath (cies) @ vce | 1 nf @ 25 v |
| Wshod | Treхpaзnый -ыprahyteleshmosmosta |
| NTC Thermistor | В дар |
| Raboч -yemperatura | -40 ° C ~ 125 ° C. |
| МОНТАНАНГИП | ШASCI |
| PakeT / KORPUES | Модул |
| ПАКЕТИВАЕТСЯ | Модул |
| Baзowый nomer prodikta | BSM15G |
| Статус Ройс | Rohs3 |
| Вернояж | 1 (neograniчennnый) |
| Доусейн Статуса | DOSTISH |
| Eccn | Ear99 |
| Htsus | 8541.29.0095 |
| Станодар | 10 |
МОДУЛЯ МОДУЛ ИГБТ
Болх
- Infineon Technologies irgpc40ud2
- Infineon Technologies IRGBC30UD2
- Infineon Technologies IRGBC20FD2
- Infineon Technologies IRGPF50F
- Infineon Technologies IRGPC50F
- Infineon Technologies IRGBC40S
- Infineon Technologies IRGBC30S
- Infineon Technologies IRGPC50UD2
- Infineon Technologies IRGPC50FD2
- Infineon Technologies IRGPC40FD2
- Infineon Technologies IRGPC30FD2
- Infineon Technologies Irgbc20ud2
- Infineon Technologies IRGBC30FD2
- Infineon Technologies IRGPH50F
- Infineon Technologies IRGPH40F