Infineon Technologies BSM200GA120DN2FSE32HOSA1 — IGBT Infineon Technologies — спецификация, дистрибьютор чипов, быстрое предложение, гарантия 365 дней
product_banner

Infineon Technologies BSM200GA120DN2FSE32HOSA1

БТИЗ МОД

  • Производитель: Инфинеон Технологии
  • Номер производителя: Infineon Technologies BSM200GA120DN2FSE32HOSA1
  • Упаковка: Масса
  • Техническая спецификация:-
  • Запас: 8071
  • Артикул: БСМ200GA120DN2FSE32HOSA1
  • Цены:мы придерживаемся исключительно гибкой и конкурентной ценовой политики.

Подробности

Теги

Параметры
Производитель Инфинеон Технологии
Ряд -
Упаковка Масса
Статус продукта Устаревший
Тип БТИЗ -
Конфигурация Одиночный переключатель
Напряжение – пробой коллектор-эмиттер (макс.) 1200 В
Ток-Коллектор (Ic) (Макс) 300 А
Мощность - Макс. 1550 Вт
Vce(on) (Макс) @ Vge, Ic 3 В @ 15 В, 200 А
Ток-отсечка коллектора (макс.) 4 мА
Входная емкость (Cies) при Vce 13 нФ @ 25 В
Вход Стандартный
НТЦ-термистор Нет
Рабочая температура 150°С (ТДж)
Тип монтажа Крепление на шасси
Пакет/ключи Модуль
Поставщик пакета оборудования Модуль
Базовый номер продукта БСМ200
ECCN УСТАРЕВШИЙ
Стандартный пакет 1
Модуль IGBT с одним переключателем, 1200 В, 300 А, 1550 Вт, модуль для монтажа на шасси