Infineon Technologies BSM200GB120DLCE3256HOSA1
BSM200GB120DLC - IGBT
- Проиджоделх: Infineon Technologies
- NoMerPOIзVODITELEL: Infineon Technologies BSM200GB120DLCE3256HOSA1
- Епаково: МАССА
- Theхniчeskaya opehy-fikaцian:-
- ЗapaS: 4381
- Sku: BSM200GB120DLCE3256HOSA1
- Xenobraзavanie: Mы ofзdali yasklючotelno giebkuю и коэнкузенто.
| Парметр | |
|---|---|
| Млн | Infineon Technologies |
| В припании | - |
| Упако | МАССА |
| Степень Продукта | Управо |
| ТИП ИГБТ | - |
| Коунфигура | Поломвинамос |
| Napraheneee - raзbiroka liзlywelelelelekelekelelelelekeleks | 1200 |
| Current - Collector (IC) (MMAKS) | 420 А. |
| Синла - МАКС | 1550 г. |
| Vce (on) (max) @ vge, ic | 2,6 В @ 15 В, 200A |
| Ток - Срел -Коллекжионера (MAKS) | 5 май |
| Odnana emcostath (cies) @ vce | 13 nf @ 25 v |
| Wshod | Станода |
| NTC Thermistor | Не |
| Raboч -yemperatura | -40 ° C ~ 125 ° C (TJ) |
| МОНТАНАНГИП | ШASCI |
| PakeT / KORPUES | Модул |
| ПАКЕТИВАЕТСЯ | Модул |
| Baзowый nomer prodikta | BSM200 |
| Статус Ройс | Rohs |
| Доусейн Статуса | DOSTISH |
| Eccn | Ear99 |
| Htsus | 8541.29.0095 |
| Дрогин ИНЕНА | 2156-BSM200GB120DLCE3256HOSA1 |
| Станодадж | 1 |
IGBT Module Half Bridge 1200 В 420 А. Модуль, 1550 г.
Болх
- Infineon Technologies irgpc40ud2
- Infineon Technologies IRGBC30UD2
- Infineon Technologies IRGBC20FD2
- Infineon Technologies IRGPF50F
- Infineon Technologies IRGPC50F
- Infineon Technologies IRGBC40S
- Infineon Technologies IRGBC30S
- Infineon Technologies IRGPC50UD2
- Infineon Technologies IRGPC50FD2
- Infineon Technologies IRGPC40FD2
- Infineon Technologies IRGPC30FD2
- Infineon Technologies Irgbc20ud2
- Infineon Technologies IRGBC30FD2
- Infineon Technologies IRGPH50F
- Infineon Technologies IRGPH40F