Infineon Technologies FF150R12ME3G — IGBT Infineon Technologies — спецификация, дистрибьютор чипов, быстрое предложение, гарантия 365 дней
product_banner

Инфинеон Технологии FF150R12ME3G

БТИЗ-МОДУЛЬ 1200 В 200 А 695 Вт

  • Производитель: Инфинеон Технологии
  • Номер производителя: Инфинеон Технологии FF150R12ME3G
  • Упаковка: Масса
  • Техническая спецификация: PDF
  • Запас: 351
  • Артикул: ФФ150Р12МЕ3Г
  • Цены:мы придерживаемся исключительно гибкой и конкурентной ценовой политики.

Количество:

Цена за единицу: $114.1500

Дополнительная цена:$114.1500

Подробности

Теги

Параметры
Производитель Инфинеон Технологии
Ряд ЭконоДУАЛ™
Упаковка Масса
Статус продукта Активный
Тип БТИЗ Траншейная полевая остановка
Конфигурация Половина моста
Напряжение – пробой коллектор-эмиттер (макс.) 1200 В
Ток-Коллектор (Ic) (Макс) 200 А
Мощность - Макс. 695 Вт
Vce(on) (Макс) @ Vge, Ic 2,15 В @ 15 В, 150 А
Ток-отсечка коллектора (макс.) 5 мА
Входная емкость (Cies) при Vce 10,5 нФ при 25 В
Вход Стандартный
НТЦ Термистор Да
Рабочая температура -40°С ~ 125°С (ТДж)
Тип монтажа Крепление на шасси
Пакет/ключи Модуль
Поставщик пакета оборудования АГ-ЭКОНОД-3
Статус RoHS Соответствует ROHS3
Уровень чувствительности к влаге (MSL) 1 (без блокировки)
Статус REACH REACH не касается
ECCN EAR99
ХТСУС 0000.00.0000
Стандартный пакет 3
Модуль IGBT Trench Field Stop Полумость 1200 В 200 А 695 Вт Крепление на шасси AG-ECONOD-3