Infineon Technologies FF17MR12W1M1HPB11BPSA1
Neзcaya moщonostath legeco
- Проиджоделх: Infineon Technologies
- NoMerPOIзVODITELEL: Infineon Technologies FF17MR12W1M1HPB11BPSA1
- Епаково: Поднос
- Theхniчeskaya opehy-fikaцian:-
- ЗapaS: 30
- Sku: FF17MR12W1M1HPB11BPSA1
- Xenobraзavanie: Mы ofeзdali yasklючotelno giebkuю ykoankurentosposobnuю цenowuюpolityku.
| Парметр | |
|---|---|
| Млн | Infineon Technologies |
| В припании | Coolsic ™ |
| Упако | Поднос |
| Степень Продукта | Актифен |
| Тела | МОС (ОКСИД МЕТАЛЛА) |
| Коунфигура | - |
| FET FUONKSHINA | - |
| Steйte odohstotoghonyka naprayжenip (vds) | 1200 В (1,2 К.) |
| TOOK - neprrerыvanan -ydreneж (id) @ 25 ° C | - |
| Rds on (max) @ id, vgs | - |
| Vgs (th) (max) @ id | - |
| ЗAraN зaTWORA (qg) (max) @ vgs | - |
| Взёр. | - |
| Синла - МАКС | - |
| Rraboч -yemperatura | - |
| МОНТАНАНГИП | ШASCI |
| PakeT / KORPUES | Модул |
| ПАКЕТИВАЕТСЯ | Ag-Iasy1b |
| Baзowый nomer prodikta | FF17MR12 |
| Статус Ройс | Rohs3 |
| Вернояж | 1 (neograniчennnый) |
| Доусейн Статуса | DOSTISH |
| Eccn | Ear99 |
| Htsus | 8541.29.0095 |
| Станодар | 30 |
MOSFET Array 1200V (1,2 кв)
Болх
- Vishay Siliconix IRF510
- Vishay Siliconix IRF9510
- Vishay Siliconix IRFD9220
- Vishay Siliconix IRF840
- Vishay Siliconix IRFD110
- Vishay Siliconix IRFD9113
- Vishay Siliconix IRFD210
- Vishay Siliconix IRFD9110
- Vishay Siliconix IRFD9120
- Vishay Siliconix IRF9630
- Vishay Siliconix IRF610
- Vishay Siliconix IRF530
- Vishay Siliconix IRF620
- Vishay Siliconix IRF730
- Vishay Siliconix IRF740