Infineon Technologies FF6MR12W2M1B70BPSA1 — Infineon Technologies FET, MOSFET — спецификация, чип-дистрибьютор, быстрое предложение, гарантия 365 дней
product_banner

Infineon Technologies FF6MR12W2M1B70BPSA1

НИЗКАЯ МОЩНОСТЬ EASY AG-EASY2B-2

  • Производитель: Инфинеон Технологии
  • Номер производителя: Infineon Technologies FF6MR12W2M1B70BPSA1
  • Упаковка: Поднос
  • Техническая спецификация: PDF
  • Запас: 11
  • Артикул: FF6MR12W2M1B70BPSA1
  • Цены:мы придерживаемся исключительно гибкой и конкурентной ценовой политики.

Количество:

Цена за единицу: $355.8300

Дополнительная цена:$355.8300

Подробности

Теги

Параметры
Производитель Инфинеон Технологии
Ряд CoolSiC™+
Упаковка Поднос
Статус продукта Устаревший
Технология Карбид кремния (SiC)
Конфигурация 2 Н-канала (полумост)
Особенность левого транзистора -
Напряжение стока к источнику (Vdss) 1200 В (1,2 кВ)
Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C 200А (Тдж)
Rds включено (макс.) @ Id, Vgs 5,63 мОм при 200 А, 15 В
Vgs(th) (Макс) @ Id 5,55 В @ 80 мА
Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs 496 НК при 15 В
Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds 14700пФ при 800В
Мощность - Макс. 20 мВт (Тс)
Рабочая температура -40°С ~ 150°С (ТДж)
Тип монтажа Крепление на шасси
Пакет/ключи Модуль
Поставщик пакета оборудования АГ-EASY2B
Базовый номер продукта ФФ6МР12
Статус RoHS Соответствует ROHS3
Уровень чувствительности к влаге (MSL) Непригодный
Статус REACH REACH не касается
ECCN EAR99
ХТСУС 8541.29.0095
Стандартный пакет 15
Массив МОП-транзисторов 1200 В (1,2 кВ), 200 А (Tj), 20 мВт (Tc), монтаж на шасси AG-EASY2B