Infineon Technologies FZ2400R12HE4B9HDSA2 — IGBT Infineon Technologies — спецификация, дистрибьютор чипов, быстрое предложение, гарантия 365 дней
product_banner

Infineon Technologies FZ2400R12HE4B9HDSA2

БТИЗ-МОДУЛЬ

  • Производитель: Инфинеон Технологии
  • Номер производителя: Infineon Technologies FZ2400R12HE4B9HDSA2
  • Упаковка: Масса
  • Техническая спецификация: PDF
  • Запас: 34
  • Артикул: FZ2400R12HE4B9HDSA2
  • Цены:мы придерживаемся исключительно гибкой и конкурентной ценовой политики.

Количество:

Цена за единицу: $874.2100

Дополнительная цена:$874.2100

Подробности

Теги

Параметры
Производитель Инфинеон Технологии
Ряд -
Упаковка Масса
Статус продукта Активный
Тип БТИЗ Траншейная полевая остановка
Конфигурация 3 независимых
Напряжение – пробой коллектор-эмиттер (макс.) 1200 В
Ток-Коллектор (Ic) (Макс) 3560 А
Мощность - Макс. 13500 Вт
Vce(on) (Макс) @ Vge, Ic 2,1 В @ 15 В, 2,4 кА
Ток-отсечка коллектора (макс.) 5 мА
Входная емкость (Cies) при Vce 150 нФ при 25 В
Вход Стандартный
НТЦ Термистор Нет
Рабочая температура -40°С ~ 150°С (ТДж)
Тип монтажа Крепление на шасси
Пакет/ключи Модуль
Поставщик пакета оборудования Модуль
Статус RoHS Непригодный
Уровень чувствительности к влаге (MSL) 1 (без блокировки)
Статус REACH Поставщик не определен
ECCN EAR99
ХТСУС 8541.29.0095
Стандартный пакет 1
Модуль IGBT Trench Field Stop 3 Независимый модуль для монтажа на шасси 1200 В, 3560 А, 13 500 Вт