Infineon Technologies IGP01N120H2 — IGBT Infineon Technologies — спецификация, дистрибьютор чипов, быстрое предложение, гарантия 365 дней
product_banner

Инфинеон Технологии IGP01N120H2

СИЛОВОЙ БИПОЛЯРНЫЙ ТРАНСИСТОР НПН

  • Производитель: Инфинеон Технологии
  • Номер производителя: Инфинеон Технологии IGP01N120H2
  • Упаковка: Масса
  • Техническая спецификация: PDF
  • Запас: 13
  • Артикул: ИГП01Н120Х2
  • Цены:мы придерживаемся исключительно гибкой и конкурентной ценовой политики.

Количество:

Цена за единицу: $0,5500

Дополнительная цена:$0,5500

Подробности

Теги

Параметры
Производитель Инфинеон Технологии
Ряд -
Упаковка Масса
Статус продукта Активный
Тип БТИЗ -
Напряжение – пробой коллектор-эмиттер (макс.) 1200 В
Ток-Коллектор (Ic) (Макс) 3,2 А
Ток-коллекторный импульсный (Icm) 3,5 А
Vce(on) (Макс) @ Vge, Ic 2,8 В @ 15 В, 1 А
Мощность - Макс. 28 Вт
Переключение энергии 140 мкДж
Тип входа Стандартный
Заряд от ворот 8,6 нк
Td (вкл/выкл) при 25°C 13 нс/370 нс
Условия испытаний 800В, 1А, 241Ом, 15В
Рабочая температура -40°С ~ 150°С (ТДж)
Тип монтажа Сквозное отверстие
Пакет/ключи ТО-220-3
Поставщик пакета оборудования ПГ-ТО220-3-1
Статус RoHS Соответствует ROHS3
Уровень чувствительности к влаге (MSL) 1 (без блокировки)
Статус REACH REACH не касается
ECCN EAR99
ХТСУС 8541.29.0095
Стандартный пакет 1
IGBT 1200 В 3,2 А 28 Вт сквозное отверстие PG-TO220-3-1