Infineon Technologies IKW03N120H — IGBT Infineon Technologies — спецификация, дистрибьютор чипов, быстрое предложение, гарантия 365 дней
product_banner

Инфинеон Технологии IKW03N120H

IGBT С АНТИПАРАЛЛЕЛЬНЫМ ДИОДОМ

  • Производитель: Инфинеон Технологии
  • Номер производителя: Инфинеон Технологии IKW03N120H
  • Упаковка: Масса
  • Техническая спецификация: PDF
  • Запас: 955
  • Артикул: IKW03N120H
  • Цены:мы придерживаемся исключительно гибкой и конкурентной ценовой политики.

Количество:

Цена за единицу: $1.2300

Дополнительная цена:$1.2300

Подробности

Теги

Параметры
Мощность - Макс. 62,5 Вт
Переключение энергии 140 мкДж (вкл.), 150 мкДж (выкл.)
Тип входа Стандартный
Заряд от ворот 22 НК
Td (вкл/выкл) при 25°C 9,2 нс/281 нс
Условия испытаний 800В, 3А, 82Ом, 15В
Время обратного восстановления (trr) 42 нс
Рабочая температура -40°С ~ 150°С (ТДж)
Тип монтажа Сквозное отверстие
Пакет/ключи ТО-247-3
Поставщик пакета оборудования ПГ-ТО247-3-21
Статус RoHS Непригодный
Уровень чувствительности к влаге (MSL) 1 (без блокировки)
Статус REACH Поставщик не определен
ECCN EAR99
ХТСУС 8541.29.0095
Стандартный пакет 1
Производитель Инфинеон Технологии
Ряд -
Упаковка Масса
Статус продукта Активный
Тип БТИЗ -
Напряжение – пробой коллектор-эмиттер (макс.) 1200 В
Ток-Коллектор (Ic) (Макс) 9,6 А
Ток-коллекторный импульсный (Icm) 9,9 А
Vce(on) (Макс) @ Vge, Ic 2,8 В @ 15 В, 3 А
IGBT 1200 В, 9,6 А, 62,5 Вт, сквозное отверстие ПГ-ТО247-3-21