Infineon Technologies IKW25T120 — IGBT Infineon Technologies — спецификация, дистрибьютор чипов, быстрое предложение, гарантия 365 дней
product_banner

Инфинеон Технологии IKW25T120

IKW25T120 - ДИСКРЕТНЫЙ БТИЗ С А

  • Производитель: Инфинеон Технологии
  • Номер производителя: Инфинеон Технологии IKW25T120
  • Упаковка: Масса
  • Техническая спецификация: PDF
  • Запас: 8603
  • Артикул: IKW25T120
  • Цены:мы придерживаемся исключительно гибкой и конкурентной ценовой политики.

Подробности

Теги

Параметры
Производитель Инфинеон Технологии
Ряд ТренчСтоп®
Упаковка Масса
Статус продукта Активный
Тип БТИЗ ДНЯО, Остановка траншейного поля
Напряжение – пробой коллектор-эмиттер (макс.) 1200 В
Ток-Коллектор (Ic) (Макс) 50 А
Ток-коллекторный импульсный (Icm) 75 А
Vce(on) (Макс) @ Vge, Ic 2,2 В @ 15 В, 25 А
Мощность - Макс. 190 Вт
Переключение энергии 2 мДж (вкл.), 2,2 мДж (выкл.)
Тип входа Стандартный
Заряд от ворот 155 НК
Td (вкл/выкл) при 25°C 50 нс/560 нс
Условия испытаний 600В, 25А, 22Ом, 15В
Время обратного восстановления (trr) 200 нс
Рабочая температура -40°С ~ 150°С (ТДж)
Тип монтажа Сквозное отверстие
Пакет/ключи ТО-247-3
Поставщик пакета оборудования ПГ-ТО247-3-21
ECCN EAR99
ХТСУС 8542.39.0001
Стандартный пакет 1
IGBT NPT, Trench Field Stop 1200 В, 50 А, 190 Вт, сквозное отверстие PG-TO247-3-21