Infineon Technologies IPG20N06S2L65AAUMA1 — полевые транзисторы Infineon Technologies, MOSFET — спецификация, дистрибьютор чипов, быстрое предложение, гарантия 365 дней
product_banner

Инфинеон Технологии IPG20N06S2L65AAUMA1

МОП-транзистор

  • Производитель: Инфинеон Технологии
  • Номер производителя: Инфинеон Технологии IPG20N06S2L65AAUMA1
  • Упаковка: Масса
  • Техническая спецификация:-
  • Запас: 5996
  • Артикул: IPG20N06S2L65AAUMA1
  • Цены:мы придерживаемся исключительно гибкой и конкурентной ценовой политики.

Подробности

Теги

Параметры
Производитель Инфинеон Технологии
Ряд Оптимос®
Упаковка Масса
Статус продукта Устаревший
Технология МОП-транзистор (оксид металла)
Конфигурация 2 N-канала (двойной)
Особенность левого транзистора Ворота логического уровня
Напряжение стока к источнику (Vdss) 55В
Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C 20А (Тс)
Rds включено (макс.) @ Id, Vgs 65 мОм при 15 А, 10 В
Vgs(th) (Макс) @ Id 2 В @ 14 мкА
Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs 12 НК при 10 В
Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds 410пФ при 25В
Мощность - Макс. 43 Вт (Тс)
Рабочая температура -55°С ~ 175°С (ТДж)
Тип монтажа Поверхностный монтаж, смачиваемая боковая поверхность
Пакет/ключи 8-PowerVDFN
Поставщик пакета оборудования ПГ-ТДСОН-8-10
Базовый номер продукта ИПГ20Н
Статус REACH REACH не касается
ECCN EAR99
ХТСУС 8541.29.0095
Стандартный пакет 1
Массив МОП-транзисторов 55 В, 20 А (Tc), 43 Вт (Tc), для поверхностного монтажа, смачиваемая задняя часть PG-TDSON-8-10