Infineon Technologies IQD009N06NM5CGATMA1

Optimos 6 Power-Transistor

Проиджоделх: Infineon Technologies
NoMerPOIзVODITELEL: Infineon Technologies IQD009N06NM5CGATMA1
Епаково: Lenta и катахка (tr)
Theхniчeskaya opehy-fikaцian:-
ЗapaS: 3705
Sku: IQD009N06NM5CGATMA1
Xenobraзavanie: Mы ofeзdali yasklючotelno giebkuю ykoankurentosposobnuю цenowuюpolityku.

Колиство:

ДОБАВИТАР

ЦENA EDINIцы: $4,3000

Эkst цena:$4,3000

Подрэбной

Парметр
Млн	Infineon Technologies
В припании	Optimos ™ 5
Упако	Lenta и катахка (tr)
Степень Продукта	Актифен
ТИП ФЕТ	N-канал
Тела	МОС (ОКСИД МЕТАЛЛА)
Steйte odohstotoghonyka naprayжenip (vds)	60
TOOK - neprrerыvanan -ydreneж (id) @ 25 ° C	42A (TA), 445A (TC)
Napraheneeee privoda (максимум, мин rds on)	6 В, 10 В.
Rds on (max) @ id, vgs	0,9 м
Vgs (th) (max) @ id	3,3 - @ 163 мка
ЗAraN зaTWORA (qg) (max) @ vgs	150 NC @ 10 V
Vgs (mmaks)	± 20 В.
Взёр.	12000 pf @ 30 v
FET FUONKSHINA	-
Rascenaonie -vlaasti (mmaks)	3W (TA), 333W (TC)
Raboч -yemperatura	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)
МОНТАНАНГИП	Пефер
ПАКЕТИВАЕТСЯ	PG-TTFN-9-U02
PakeT / KORPUES	9-powertdfn
Baзowый nomer prodikta	IQD009
Статус Ройс	Rohs3
Eccn	Ear99
Htsus	8542.39.0001
Станодар	5000

N-kanal 60-v 42a (ta), 445a (tc) 3w (ta), 333w (tc) poverхnostnoe kreplepleneene pg-ttfn-9-u02