Парметр | |
---|---|
Млн | Infineon Technologies |
В припании | - |
Упако | МАССА |
Степень Продукта | Актифен |
Тела | LDMOS |
ЧastoTA | 1,2 Гер |
Прирост | 16 дБ |
В конце | 50 |
Tykuщiй rerйting (amp) | 10 мк |
Ш | - |
ТОК - ТЕСТР | 300 май |
Питани - В.О. | 700 Вт |
Napraheneee - оинка | 105 |
PakeT / KORPUES | H-36275-4 |
ПАКЕТИВАЕТСЯ | H-36275-4 |
Eccn | Ear99 |
Htsus | 8541.29.0075 |
Станодадж | 1 |