Infineon Technologies SGB02N120CT — IGBT Infineon Technologies — спецификация, дистрибьютор чипов, быстрое предложение, гарантия 365 дней
product_banner

Инфинеон Технологии SGB02N120CT

БТИЗ, 2А, 1200В, Н-КАНАЛЬНЫЙ

  • Производитель: Инфинеон Технологии
  • Номер производителя: Инфинеон Технологии SGB02N120CT
  • Упаковка: Масса
  • Техническая спецификация: PDF
  • Запас: 1940 год
  • Артикул: SGB02N120CT
  • Цены:мы придерживаемся исключительно гибкой и конкурентной ценовой политики.

Подробности

Теги

Параметры
Производитель Инфинеон Технологии
Ряд -
Упаковка Масса
Статус продукта Активный
Тип БТИЗ ДНЯО
Напряжение – пробой коллектор-эмиттер (макс.) 1200 В
Ток-Коллектор (Ic) (Макс) 6,2 А
Ток-коллекторный импульсный (Icm) 9,6 А
Vce(on) (Макс) @ Vge, Ic 3,6 В @ 15 В, 2 А
Мощность - Макс. 62 Вт
Переключение энергии 220 мкДж
Тип входа Стандартный
Заряд от ворот 11 НК
Td (вкл/выкл) при 25°C 23 нс/260 нс
Условия испытаний 800В, 2А, 91Ом, 15В
Рабочая температура -55°С ~ 150°С (ТДж)
Тип монтажа Поверхностный монтаж
Пакет/ключи ТО-263-3, Д²Пак (2 отведения + вкладка), ТО-263АБ
Поставщик пакета оборудования ПГ-ТО263-3-2
Базовый номер продукта SGB02N
Статус RoHS Непригодный
Уровень чувствительности к влаге (MSL) 1 (без блокировки)
Статус REACH Поставщик не определен
ECCN EAR99
ХТСУС 8541.29.0095
Стандартный пакет 1
IGBT NPT 1200 В 6,2 А 62 Вт для поверхностного монтажа PG-TO263-3-2