Infineon Technologies SGW15N120 — IGBT Infineon Technologies — спецификация, дистрибьютор чипов, быстрое предложение, гарантия 365 дней
product_banner

Инфинеон Технологии SGW15N120

БТИЗ, 30 А, 1200 В, Н-КАНАЛЬНЫЙ

  • Производитель: Инфинеон Технологии
  • Номер производителя: Инфинеон Технологии SGW15N120
  • Упаковка: Масса
  • Техническая спецификация: PDF
  • Запас: 3396
  • Артикул: СГВ15Н120
  • Цены:мы придерживаемся исключительно гибкой и конкурентной ценовой политики.

Подробности

Теги

Параметры
Производитель Инфинеон Технологии
Ряд -
Упаковка Масса
Статус продукта Активный
Тип БТИЗ ДНЯО
Напряжение – пробой коллектор-эмиттер (макс.) 1200 В
Ток-Коллектор (Ic) (Макс) 30 А
Ток-коллекторный импульсный (Icm) 52 А
Vce(on) (Макс) @ Vge, Ic 3,6 В при 15 В, 15 А
Мощность - Макс. 198 Вт
Переключение энергии 1,9 мДж
Тип входа Стандартный
Заряд от ворот 130 НК
Td (вкл/выкл) при 25°C 18 нс/580 нс
Условия испытаний 800В, 15А, 33Ом, 15В
Рабочая температура -55°С ~ 150°С (ТДж)
Тип монтажа Сквозное отверстие
Пакет/ключи ТО-247-3
Поставщик пакета оборудования ПГ-ТО247-3-1
Базовый номер продукта SGW15N
Статус RoHS Соответствует ROHS3
Уровень чувствительности к влаге (MSL) 1 (без блокировки)
Статус REACH REACH не касается
ECCN EAR99
ХТСУС 8541.29.0095
Стандартный пакет 1
IGBT NPT 1200 В 30 А 198 Вт сквозное отверстие PG-TO247-3-1