Infineon Technologies SIGC42T120CQX1SA1 — IGBT Infineon Technologies — спецификация, дистрибьютор чипов, быстрое предложение, гарантия 365 дней
product_banner

Infineon Technologies SIGC42T120CQX1SA1

ДИОДНЫЙ ГЕНЕРАТОР НАЗНАЧЕНИЯ 1,2КВ

  • Производитель: Инфинеон Технологии
  • Номер производителя: Infineon Technologies SIGC42T120CQX1SA1
  • Упаковка: Масса
  • Техническая спецификация: PDF
  • Запас: 1581 г.
  • Артикул: SIGC42T120CQX1SA1
  • Цены:мы придерживаемся исключительно гибкой и конкурентной ценовой политики.

Подробности

Теги

Параметры
Производитель Инфинеон Технологии
Ряд -
Упаковка Масса
Статус продукта Устаревший
Тип БТИЗ -
Напряжение – пробой коллектор-эмиттер (макс.) 1200 В
Ток-коллекторный импульсный (Icm) 75 А
Vce(on) (Макс) @ Vge, Ic 2,1 В @ 15 В, 25 А
Переключение энергии -
Тип входа Стандартный
Td (вкл/выкл) при 25°C -
Условия испытаний -
Рабочая температура -55°С ~ 150°С (ТДж)
Тип монтажа Поверхностный монтаж
Пакет/ключи Править
Поставщик пакета оборудования Править
Базовый номер продукта СИГК42Т120
Уровень чувствительности к влаге (MSL) 1 (без блокировки)
Статус REACH REACH не касается
ECCN УСТАРЕВШИЙ
Стандартный пакет 1
IGBT 1200 В кристалл для поверхностного монтажа