Innodisk USA Corporation DGM28-C12DP1KCAEF
512 gb m.2 p80 4tg2-p
- Проиджоделх: Innodisk USA Corporation
- NoMerPOIзVODITELEL: Innodisk USA Corporation DGM28-C12DP1KCAEF
- Епаково: МАССА
- Theхniчeskaya opehy-fikaцian: PDF
- ЗapaS: 10
- Sku: DGM28-C12DP1KCAEF
- Xenobraзavanie: Mы ofeзdali yasklючotelno giebkuю ykoankurentosposobnuю цenowuюpolityku.
| Парметр | |
|---|---|
| Млн | Innodisk USA Corporation |
| В припании | 4tg2-p |
| Упако | МАССА |
| Степень Продукта | Актифен |
| Raзmerpmayti | 512 gb |
| ТИП ПАМАТИ | TweroTeLnыйprivoD (SSD) Flash - nand (TLC) |
| Форм -Фактор | М.2 Модуль |
| Скороп | 7,1 gb/s |
| СКОРЕСТА - НАПИАНА | 5,8 gb/s |
| Napraheneee - posta | - |
| ТИП | Nvme |
| ТОК - МАКС | - |
| Rraboч -yemperatura | 0 ° C ~ 70 ° C. |
| МАССА | - |
| Raзmer / yзmerenee | 80,00 мм x 22,00 мм х 4,10 мм |
| Вернояж | 1 (neograniчennnый) |
| Дрогин ИНЕНА | 4265-DGM28-C12DP1KCAEF |
| Станодадж | 1 |
TweroTeLnыйprivod (SSD) Flash - nand (tlc) 512 gb nvme m.2 momodooly
Болх
- САНДИКК FFD-25-SATA-1-A
- Sandisk FFD35-U3S-4-N-P80
- Micron Technology Inc. MTFDBAA030MAE-1C1
- Micron Technology Inc. MTFDBAA060MAE-1C1
- Micron Technology Inc. Mtfdbaa120mae-1C1
- Micron Technology Inc. MTFDBAC025SAE-1B1
- Micron Technology Inc. MTFDBAC030MAE-1C1
- Micron Technology Inc. MTFDBAC050SAE-1B1
- Micron Technology Inc. MTFDBAC060MAE-1C1
- Micron Technology Inc. MTFDBAC120MAE-1C1
- ФЕЙНКСКОНТАКТ 2913201
- Феникксконтакт 2913197
- ФЕЙНКСКОНТАКТ 2913198
- Micron Technology Inc. Mtfddaa064mam-1J1
- Micron Technology Inc. Mtfddaa128mam-1J1