Парметр |
Млн | ДОДЕЛИНАРЕДНА |
В припании | Hexfet® |
Упако | МАССА |
Степень Продукта | Актифен |
Тела | МОС (ОКСИД МЕТАЛЛА) |
Коунфигура | 2 n-канал (Дзонано) |
FET FUONKSHINA | Logiчeskichй yrowenhe |
Steйte odohstotoghonyka naprayжenip (vds) | 30 |
TOOK - neprrerыvanan -ydreneж (id) @ 25 ° C | 5.3a |
Rds on (max) @ id, vgs | 50mohm @ 2,7a, 10 В |
Vgs (th) (max) @ id | 3 w @ 100 мк |
ЗAraN зaTWORA (qg) (max) @ vgs | 21nc @ 10v |
Взёр. | 515pf @ 25V |
Синла - МАКС | 2,4 |
Rraboч -yemperatura | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) |
МОНТАНАНГИП | Пефер |
PakeT / KORPUES | 8 SOIC (0,154 дюйма, Ирина 3,90 мм) |
ПАКЕТИВАЕТСЯ | 8 ТАКОГО |
Baзowый nomer prodikta | Auirf7103 |
Статус Ройс | Neprigodnnый |
Вернояж | 1 (neograniчennnый) |
Доусейн Статуса | DOSTISH |
Eccn | Ear99 |
Htsus | 8541.29.0095 |
Станодадж | 4000 |
MOSFET ARRAY 30 В 5,3а 2,4