Парметр |
Млн | ДОДЕЛИНАРЕДНА |
В припании | Hexfet® |
Упако | МАССА |
Степень Продукта | Актифен |
Тела | МОС (ОКСИД МЕТАЛЛА) |
Коунфигура | N и п-канал |
FET FUONKSHINA | Logiчeskichй yrowenhe |
Steйte odohstotoghonyka naprayжenip (vds) | 30 |
TOOK - neprrerыvanan -ydreneж (id) @ 25 ° C | 5.8a, 4.3a |
Rds on (max) @ id, vgs | 45mohm @ 5,8a, 10 В |
Vgs (th) (max) @ id | 3 В @ 250 мк |
ЗAraN зaTWORA (qg) (max) @ vgs | 25NC @ 10V |
Взёр. | 520pf @ 25V |
Синла - МАКС | 2,5 |
Rraboч -yemperatura | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) |
МОНТАНАНГИП | Пефер |
PakeT / KORPUES | 8 SOIC (0,154 дюйма, Ирина 3,90 мм) |
ПАКЕТИВАЕТСЯ | 8 лейт |
Baзowый nomer prodikta | Auirf7379 |
Eccn | Ear99 |
Htsus | 8541.29.0095 |
Станодадж | 1 |
MOSFET Array 30 В 5,8A, 4,3A 2,5