| Парметр | |
|---|---|
| Млн | ДОДЕЛИНАРЕДНА |
| В припании | imotion ™ |
| Упако | МАССА |
| Степень Продукта | Актифен |
| ТИП | Igbt |
| Коунфигура | 3 февраля |
| ТЕКУИГИГ | 10 а |
| Naprayeseee | 600 |
| Naprayжeniee - yзolyahip | 2000vrms |
| МОНТАНАНГИП | Чereз dыru |
| PakeT / KORPUES | Модуль 29-майкки, 21лидир, С. Формировананна |
| Статус Ройс | Neprigodnnый |
| Вернояж | 3 (168 чASOW) |
| Доусейн Статуса | DOSTISH |
| Eccn | Ear99 |
| Htsus | 8542.39.0001 |
| Станодар | 1 |
Модулбпитания Модул Игбт 3 февраля 600 м. 10 А. 29-MANGAL-Модул, 21 С.Синте, С. Формировананн.
Болх
- Infineon Technologies Iramx16up60a
- Infineon Technologies Irams10up60a
- Infineon Technologies Irams06up60b
- Infineon Technologies Irams10up60b
- Infineon Technologies Irams06up60a
- Vishay General Semiconductor -Diodes Division EMP15P12D
- OnSemi FCAS50SN60
- ONSEMI FSAM10SH60A
- ONSEMI FSAM10SM60A
- ONSEMI FSAM15SH60A
- ONSEMI FSAM15SL60
- ONSEMI FSAM15SM60A
- ONSEMI FSAM20SH60A
- ONSEMI FSAM20SL60
- ONSEMI FSAM20SM60A