| Параметры |
| Производитель | Международный выпрямитель |
| Ряд | ДиректФЕТ® |
| Упаковка | Масса |
| Статус продукта | Активный |
| Тип полярного транзистора | N-канал |
| Технология | МОП-транзистор (оксид металла) |
| Напряжение стока к источнику (Vdss) | 25 В |
| Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C | 19А (Та), 74А (Тс) |
| Rds включено (макс.) @ Id, Vgs | 3,7 мОм при 19 А, 10 В |
| Vgs(th) (Макс) @ Id | 2,1 В @ 35 мкА |
| Заряд ворот (Qg) (Макс.) @ Vgs | 17 НК @ 4,5 В |
| ВГС (Макс) | ±16 В |
| Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds | 1590 пФ при 13 В |
| Особенность левого транзистора | - |
| Рассеиваемая мощность (макс.) | 2,1 Вт (Та), 32 Вт (Тс) |
| Рабочая температура | -40°С ~ 150°С (ТДж) |
| Тип монтажа | Поверхностный монтаж |
| Поставщик пакета оборудования | DirectFET™ Изометрический SQ |
| Пакет/ключи | DirectFET™ Изометрический SQ |
| Статус RoHS | Соответствует ROHS3 |
| Уровень чувствительности к влаге (MSL) | 1 (без блокировки) |
| Статус REACH | REACH не касается |
| ECCN | EAR99 |
| ХТСУС | 0000.00.0000 |
| Стандартный пакет | 225 |
N-канал 25 В 19 А (Ta), 74 А (Tc) 2,1 Вт (Ta), 32 Вт (Tc) Поверхностный монтаж DirectFET™ Isometric SQ