Парметр |
Млн | ДОДЕЛИНАРЕДНА |
В припании | Hexfet® |
Упако | Трубка |
Степень Продукта | Управо |
ТИП ФЕТ | N-канал |
Тела | МОС (ОКСИД МЕТАЛЛА) |
Steйte odohstotoghonyka naprayжenip (vds) | 30 |
TOOK - neprrerыvanan -ydreneж (id) @ 25 ° C | 17.2a (TA) |
Napraheneeee privoda (максимум, мин rds on) | 4,5 В, 10. |
Rds on (max) @ id, vgs | 5,6mohm @ 17.2a, 10 В |
Vgs (th) (max) @ id | 2,2 pri 250 мк |
ЗAraN зaTWORA (qg) (max) @ vgs | 36 NC @ 4,5 |
Vgs (mmaks) | ± 20 В. |
Взёр. | 2910 pf @ 15 V |
FET FUONKSHINA | - |
Rascenaonie -vlaasti (mmaks) | 2,5 yt (tat) |
Rraboч -yemperatura | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) |
МОНТАНАНГИП | Пефер |
ПАКЕТИВАЕТСЯ | 8 ТАКОГО |
PakeT / KORPUES | 8 SOIC (0,154 дюйма, Ирина 3,90 мм) |
Статус Ройс | Rohs3 |
Eccn | Ear99 |
Htsus | 8541.29.0095 |
Станодар | 950 |
N-kanal 30- 17,2a (ta) 2,5 st (ta) poverхnostnoe