| Парметр | |
|---|---|
| Млн | ДОДЕЛИНАРЕДНА |
| В припании | Hexfet® |
| Упако | МАССА |
| Степень Продукта | Актифен |
| ТИП ФЕТ | N-канал |
| Тела | МОС (ОКСИД МЕТАЛЛА) |
| Steйte odohstotoghonyka naprayжenip (vds) | 200 |
| TOOK - neprrerыvanan -ydreneж (id) @ 25 ° C | 31a (TC) |
| Napraheneeee privoda (максимум, мин rds on) | 10 В |
| Rds on (max) @ id, vgs | 82mohm @ 18a, 10 В |
| Vgs (th) (max) @ id | 5,5 В @ 250 мк |
| ЗAraN зaTWORA (qg) (max) @ vgs | 107 NC @ 10 V |
| Vgs (mmaks) | ± 30 v |
| Взёр. | 2370 pf @ 25 v |
| FET FUONKSHINA | - |
| Rascenaonie -vlaasti (mmaks) | 3,1 yt (ta), 200 st (tc) |
| Rraboч -yemperatura | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) |
| МОНТАНАНГИП | Пефер |
| ПАКЕТИВАЕТСЯ | D2Pak |
| PakeT / KORPUES | TO-263-3, D²PAK (2 LEADS + TAB), TO-263AB |
| Статус Ройс | Rohs3 |
| Вернояж | 1 (neograniчennnый) |
| Доусейн Статуса | DOSTISH |
| Eccn | Ear99 |
| Htsus | 8541.29.0095 |
| Станодадж | 1 |
N-kanal 200- 31а (Tc) 3,1-вт (TA), 200 м.
Болх
- Vishay Siliconix IRF510
- Vishay Siliconix IRF9510
- Vishay Siliconix IRFD9220
- Vishay Siliconix IRF840
- Vishay Siliconix IRFD110
- Vishay Siliconix IRFD9113
- Vishay Siliconix IRFD210
- Vishay Siliconix IRFD9110
- Vishay Siliconix IRFD9120
- Vishay Siliconix IRF9630
- Vishay Siliconix IRF610
- Vishay Siliconix IRF530
- Vishay Siliconix IRF620
- Vishay Siliconix IRF730
- Vishay Siliconix IRF740