Парметр |
Млн | ДОДЕЛИНАРЕДНА |
В припании | Hexfet® |
Упако | МАССА |
Степень Продукта | Актифен |
ТИП ФЕТ | П-канал |
Тела | МОС (ОКСИД МЕТАЛЛА) |
Steйte odohstotoghonyka naprayжenip (vds) | 55 |
TOOK - neprrerыvanan -ydreneж (id) @ 25 ° C | 20А (TC) |
Napraheneeee privoda (максимум, мин rds on) | 4,5 В, 10. |
Rds on (max) @ id, vgs | 105mohm @ 3,4a, 10 В |
Vgs (th) (max) @ id | 1В @ 250 мк |
ЗAraN зaTWORA (qg) (max) @ vgs | 47 NC @ 10 V |
Vgs (mmaks) | ± 20 В. |
Взёр. | 660 pf @ 50 v |
FET FUONKSHINA | - |
Rascenaonie -vlaasti (mmaks) | 79 Вт (ТС) |
Rraboч -yemperatura | -40 ° C ~ 175 ° C (TJ) |
МОНТАНАНГИП | Пефер |
ПАКЕТИВАЕТСЯ | D-PAK |
PakeT / KORPUES | TO-252-3, DPAK (2 LEADS + TAB), SC-63 |
Статус Ройс | Rohs3 |
Вернояж | 1 (neograniчennnый) |
Доусейн Статуса | DOSTISH |
Eccn | Ear99 |
Htsus | 0000.00.0000 |
Станодадж | 1 |
P-KANAL 55-20A (TC) 79W (TC) POWRхNOSTNOE