| Парметр | |
|---|---|
| Млн | Мейлэйл |
| В припании | - |
| Упако | МАССА |
| Степень Продукта | Управо |
| ТИП ИСИЛИТЕЛ | CMOS |
| Колист | 2 |
| Втипа | - |
| Степень | 0,16 В/мкс |
| Poluhith | 480 кг |
| Ток - | 1 п |
| На | 15 м |
| Ток - Посткака | 100 мк (x2 канала) |
| Ток - | 1 май |
| На | 2 V. |
| На | 16 |
| Rraboч -yemperatura | 0 ° C ~ 70 ° C. |
| МОНТАНАНГИП | Пефер |
| PakeT / KORPUES | 8 SOIC (0,154 дюйма, Ирина 3,90 мм) |
| ПАКЕТИВАЕТСЯ | 8 лейт |
| Статус Ройс | Rohs |
| Eccn | Ear99 |
| Htsus | 8542.33.0001 |
| Станодар | 2500 |
Cmos uciolytely 2 sхema 8 SOIC
Болх
- Analog Devices Inc. LT1213CS8
- Analog Devices Inc. LT1178ACN8
- Texas Instruments LM1875T/NOPB
- Texas Instruments LMC6484AIN/NOPB
- Analog Devices Inc. LT1357CN8
- Texas Instruments LF347N/PB
- Texas Instruments LF353N/NOPB
- Texas Instruments LF356N/NOPB
- Texas Instruments LM1458N/NOPB
- Texas Instruments LM301AN/NOPB
- Texas Instruments LM318N/NOPB
- Texas Instruments LM324N/PB
- Texas Instruments LM348N/PB
- Texas Instruments LM358N/NOPB
- Texas Instruments LM380N-8/NOPB