| Параметры |
| Производитель | Инвентчип |
| Ряд | - |
| Упаковка | Трубка |
| Статус продукта | Активный |
| Тип полярного транзистора | N-канал |
| Технология | SiCFET (карбид кремния) |
| Напряжение стока к источнику (Vdss) | 1200 В |
| Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C | 58А (Тс) |
| Напряжение привода (макс. включения включения, мин. значения включения) | 20 В |
| Rds включено (макс.) @ Id, Vgs | 65 мОм при 20 А, 20 В |
| Vgs(th) (Макс) @ Id | 3,2 В при 6 мА |
| Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs | 120 НК при 20 В |
| ВГС (Макс) | +20В, -5В |
| Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds | 2750 пФ при 800 В |
| Особенность левого транзистора | - |
| Рассеиваемая мощность (макс.) | 344 Вт (Тс) |
| Рабочая температура | -55°С ~ 175°С (ТДж) |
| Тип монтажа | Сквозное отверстие |
| Поставщик пакета оборудования | ТО-247-4 |
| Пакет/ключи | ТО-247-4 |
| Статус RoHS | Соответствует ROHS3 |
| Уровень чувствительности к влаге (MSL) | 1 (без блокировки) |
| ECCN | EAR99 |
| ХТСУС | 8541.29.0095 |
| Другие имена | 4084-IV1Q12050T4 |
| Стандартный пакет | 30 |
Н-канал 1200 В 58 А (Тс) 344 Вт (Тс) Сквозное отверстие ТО-247-4