Inventchip IV1Q12050T4 — Inventchip FET, MOSFET — спецификация, дистрибьютор чипов, быстрое предложение, гарантия 365 дней
product_banner

Инвентчип IV1Q12050T4

МОП-транзистор SIC, 1200 В, 50 МОм, ТО-247

  • Производитель: Инвентчип
  • Номер производителя: Инвентчип IV1Q12050T4
  • Упаковка: Трубка
  • Техническая спецификация: PDF
  • Запас: 7388
  • Артикул: IV1Q12050T4
  • Цены:мы придерживаемся исключительно гибкой и конкурентной ценовой политики.

Количество:

Цена за единицу: $38.5000

Дополнительная цена:$38.5000

Подробности

Теги

Параметры
Производитель Инвентчип
Ряд -
Упаковка Трубка
Статус продукта Активный
Тип полярного транзистора N-канал
Технология SiCFET (карбид кремния)
Напряжение стока к источнику (Vdss) 1200 В
Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C 58А (Тс)
Напряжение привода (макс. включения включения, мин. значения включения) 20 В
Rds включено (макс.) @ Id, Vgs 65 мОм при 20 А, 20 В
Vgs(th) (Макс) @ Id 3,2 В при 6 мА
Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs 120 НК при 20 В
ВГС (Макс) +20В, -5В
Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds 2750 пФ при 800 В
Особенность левого транзистора -
Рассеиваемая мощность (макс.) 344 Вт (Тс)
Рабочая температура -55°С ~ 175°С (ТДж)
Тип монтажа Сквозное отверстие
Поставщик пакета оборудования ТО-247-4
Пакет/ключи ТО-247-4
Статус RoHS Соответствует ROHS3
Уровень чувствительности к влаге (MSL) 1 (без блокировки)
ECCN EAR99
ХТСУС 8541.29.0095
Другие имена 4084-IV1Q12050T4
Стандартный пакет 30
Н-канал 1200 В 58 А (Тс) 344 Вт (Тс) Сквозное отверстие ТО-247-4