Inventchip IV1Q12160T4 — полевые транзисторы Inventchip, MOSFET — спецификация, дистрибьютор чипов, быстрое предложение, гарантия 365 дней
product_banner

Инвентчип IV1Q12160T4

МОП-транзистор SIC, 1200 В, 160 МОм, ТО-24

  • Производитель: Инвентчип
  • Номер производителя: Инвентчип IV1Q12160T4
  • Упаковка: Трубка
  • Техническая спецификация: PDF
  • Запас: 106
  • Артикул: IV1Q12160T4
  • Цены:мы придерживаемся исключительно гибкой и конкурентной ценовой политики.

Количество:

Цена за единицу: $18.7400

Дополнительная цена:$18.7400

Подробности

Теги

Параметры
Производитель Инвентчип
Ряд -
Упаковка Трубка
Статус продукта Активный
Тип полярного транзистора N-канал
Технология SiCFET (карбид кремния)
Напряжение стока к источнику (Vdss) 1200 В
Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C 20А (Тс)
Напряжение привода (макс. включения включения, мин. значения включения) 20 В
Rds включено (макс.) @ Id, Vgs 195 мОм при 10 А, 20 В
Vgs(th) (Макс) @ Id 2,9 В @ 1,9 мА
Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs 43 НК при 20 В
ВГС (Макс) +20В, -5В
Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds 885 пФ при 800 В
Особенность левого транзистора -
Рассеиваемая мощность (макс.) 138 Вт (Тс)
Рабочая температура -55°С ~ 175°С (ТДж)
Тип монтажа Сквозное отверстие
Поставщик пакета оборудования ТО-247-4
Пакет/ключи ТО-247-4
Статус RoHS Соответствует ROHS3
Уровень чувствительности к влаге (MSL) 1 (без блокировки)
ECCN EAR99
Другие имена 4084-IV1Q12160T4
Стандартный пакет 30
Н-канал 1200 В 20 А (Тс) 138 Вт (Тс) Сквозное отверстие ТО-247-4