| Параметры |
| Производитель | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. |
| Ряд | - |
| Упаковка | Лента и катушка (TR) |
| Статус продукта | Активный |
| Тип | Энергонезависимый |
| Формат памяти | ВСПЫШКА |
| Технология | ФЛЕШ-НЕ-НЕ (TLC) |
| Размер | 512Гбит |
| Организация | 64Г х 8 |
| Интерфейс памяти | ММК |
| Тактовая частота | 200 МГц |
| Время цикла записи — Word, Page | - |
| Напряжение питания | 2,7 В ~ 3,6 В |
| Рабочая температура | -40°С ~ 85°С (ТА) |
| Тип монтажа | Поверхностный монтаж |
| Пакет/ключи | 100-ЛБГА |
| Поставщик пакета оборудования | 100-LFBGA (14x18) |
| Базовый номер продукта | ИС21ТФ64Г |
| Статус RoHS | Соответствует ROHS3 |
| Уровень чувствительности к влаге (MSL) | 3 (168 часов) |
| Статус REACH | REACH не касается |
| ECCN | 3А991Б1А |
| ХТСУС | 8542.32.0071 |
| Другие имена | 706-IS21TF64G-JQLI-TR |
| Стандартный пакет | 1000 |
FLASH-NAND (TLC) ИС память 512 Гбит MMC 200 МГц 100-LFBGA (14x18)