| Параметры |
| Производитель | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. |
| Ряд | - |
| Упаковка | Масса |
| Статус продукта | Активный |
| Тип | Неустойчивый |
| Формат памяти | ДРАМ |
| Технология | SDRAM — мобильный LPDDR2-S4 |
| Размер | 4Гбит |
| Организация | 128М х 32 |
| Интерфейс памяти | ХСУЛ_12 |
| Тактовая частота | 533 МГц |
| Время цикла записи — Word, Page | 15нс |
| Время доступа | 5,5 нс |
| Напряжение питания | 1,14 В ~ 1,3 В, 1,7 В ~ 1,95 В |
| Рабочая температура | -40°C ~ 85°C (TC) |
| Тип монтажа | Поверхностный монтаж |
| Пакет/ключи | 134-ТФБГА |
| Поставщик пакета оборудования | 134-ТФБГА (10х11,5) |
| Статус RoHS | Соответствует ROHS3 |
| Уровень чувствительности к влаге (MSL) | 3 (168 часов) |
| Другие имена | 706-ИС43ЛД32128Б-18БЛИ |
| Стандартный пакет | 171 |
SDRAM — микросхема мобильной памяти LPDDR2-S4, 4 Гбит, HSUL_12, 533 МГц, 5,5 нс, 134-TFBGA (10x11,5)