Issi, инажеский
2G, 1,8V, Мобилнг DDR, 64MX32, 20
- Проиджоделх: Issi, ина
- NoMerPOIзVODITELEL: Issi, инажеский
- Епаково: Lenta и катахка (tr)
- Theхniчeskaya opehy-fikaцian: PDF
- ЗapaS: 3474
- Sku: IS43LR32640B-5BLI-TR
- Xenobraзavanie: Mы ofeзdali yasklючotelno giebkuю ykoankurentosposobnuю цenowuюpolityku.
| Парметр | |
|---|---|
| Млн | Issi, ина |
| В припании | - |
| Упако | Lenta и катахка (tr) |
| Степень Продукта | Актифен |
| ТИП ПАМАТИ | Nestabilnый |
| Формат пэмаи | Ддрам |
| Тела | SDRAM - Mobile LPDDR |
| Raзmerpmayti | 2 Гит |
| Органихая | 64M x 32 |
| ИНЕРФЕРСП | Парлель |
| ТАКТОВА | 208 мг |
| Верный | 15NS |
| Вернее | 5 млн |
| Napraheneee - posta | 1,7 В ~ 1,95 В. |
| Rraboч -yemperatura | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) |
| МОНТАНАНГИП | Пефер |
| PakeT / KORPUES | 90-TFBGA |
| ПАКЕТИВАЕТСЯ | 90-TFBGA (8x13) |
| Статус Ройс | Rohs3 |
| Вернояж | 3 (168 чASOW) |
| Дрогин ИНЕНА | 706-IS43LR32640B-5BLI-TR |
| Станодадж | 2500 |
SDRAM - MOBILNANVYPARYPATH LPDDR IC 2GBITPARALLOLH 208 MMGц 5 ns 90 -TFBGA (8x13)
Болх
- ONSEMI MM74C89N
- ONSEMI MM74C910N
- Analog Devices Inc./maxim Integrated MXD1210CSA
- ONSEMI NMC27C64N200
- ONSEMI 74F189PC
- ONSEMI 74F219PC
- ONSEMI NMC27C64Q150
- Microchip Technology 93lc56/p
- Microchip Technology 93LC56/SN
- Microchip Technology 93AA46/SN
- Microchip Technology 24C65/p
- Microchip Technology 93lc66/p
- Microchip Technology 93LC66/SN
- Microchip Technology 93AA56/SN
- Microchip Technology 93LC46/p