| Параметры |
| Производитель | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. |
| Ряд | - |
| Упаковка | Масса |
| Статус продукта | Активный |
| Тип | Неустойчивый |
| Формат памяти | ДРАМ |
| Технология | SDRAM — мобильный LPDDR |
| Размер | 256Мбит |
| Организация | 8М х 32 |
| Интерфейс памяти | LVCMOS |
| Тактовая частота | 166 МГц |
| Время цикла записи — Word, Page | 15нс |
| Время доступа | 5,5 нс |
| Напряжение питания | 1,7 В ~ 1,95 В |
| Рабочая температура | -40°С ~ 85°С (ТА) |
| Тип монтажа | Поверхностный монтаж |
| Пакет/ключи | 90-ТФБГА |
| Поставщик пакета оборудования | 90-ТФБГА (8х13) |
| Статус RoHS | Соответствует ROHS3 |
| Уровень чувствительности к влаге (MSL) | 3 (168 часов) |
| Другие имена | 706-ИС43ЛР32800Х-6БЛИ |
| Стандартный пакет | 240 |
SDRAM — ИС мобильной памяти LPDDR, 256 Мбит, LVCMOS, 166 МГц, 5,5 нс, 90-TFBGA (8x13)