| Параметры |
| Производитель | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. |
| Ряд | - |
| Упаковка | Лента и катушка (TR) |
| Статус продукта | Активный |
| Тип | Неустойчивый |
| Формат памяти | ДРАМ |
| Технология | SDRAM-DDR4 |
| Размер | 8Гбит |
| Организация | 512М х 16 |
| Интерфейс памяти | Параллельно |
| Тактовая частота | 1333 ГГц |
| Время цикла записи — Word, Page | 15нс |
| Время доступа | 18 нс |
| Напряжение питания | 1,14 В ~ 1,26 В |
| Рабочая температура | -40°C ~ 95°C (TC) |
| Тип монтажа | Поверхностный монтаж |
| Пакет/ключи | 96-ТФБГА |
| Поставщик пакета оборудования | 96-TWBGA (10x14) |
| Статус RoHS | Соответствует ROHS3 |
| Уровень чувствительности к влаге (MSL) | 3 (168 часов) |
| Другие имена | 706-IS43QR16512A-075VBLI-TR |
| Стандартный пакет | 2000 г. |
SDRAM — ИС-память DDR4, 8 Гбит, параллельная, 1,333 ГГц, 18 нс, 96-TWBGA (10x14)