| Параметры | 
                                                                                                                                                      | Производитель | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | 
                                                                                                                  | Ряд | - | 
                                                                                                                  | Упаковка | Масса | 
                                                                                                                  | Статус продукта | Активный | 
                                                                                                                  | Тип | Неустойчивый | 
                                                                                                                  | Формат памяти | ДРАМ | 
                                                                                                                  | Технология | SDRAM-DDR4 | 
                                                                                                                  | Размер | 4Гбит | 
                                                                                                                  | Организация | 512М х 8 | 
                                                                                                                  | Интерфейс памяти | ПОД | 
                                                                                                                  | Тактовая частота | 1,2 ГГц | 
                                                                                                                  | Время цикла записи — Word, Page | 15нс | 
                                                                                                                  | Время доступа | 19 нс | 
                                                                                                                  | Напряжение питания | 1,14 В ~ 1,26 В | 
                                                                                                                  | Рабочая температура | -40°C ~ 95°C (TC) | 
                                                                                                                  | Тип монтажа | Поверхностный монтаж | 
                                                                                                                  | Пакет/ключи | 78-ТФБГА | 
                                                                                                                  | Поставщик пакета оборудования | 78-TWBGA (10x14) | 
                                                                                                                  | Статус RoHS | Соответствует ROHS3 | 
                                                                                                                  | Уровень чувствительности к влаге (MSL) | 3 (168 часов) | 
                                                                                                                  | Другие имена | 706-IS43QR85120B-083RBLI | 
                                                                                                                  | Стандартный пакет | 136 | 
                                                                                                                                      
                                                                           SDRAM — ИС-память DDR4, 4 Гбит POD, 1,2 ГГц, 19 нс, 78-TWBGA (10x14)