| Параметры | 
                                                                                                                                                      | Производитель | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | 
                                                                                                                  | Ряд | - | 
                                                                                                                  | Упаковка | Масса | 
                                                                                                                  | Статус продукта | Активный | 
                                                                                                                  | Тип | Неустойчивый | 
                                                                                                                  | Формат памяти | ДРАМ | 
                                                                                                                  | Технология | SDRAM-DDR | 
                                                                                                                  | Размер | 512 Мбит | 
                                                                                                                  | Организация | 64М х 8 | 
                                                                                                                  | Интерфейс памяти | SSTL_2 | 
                                                                                                                  | Тактовая частота | 166 МГц | 
                                                                                                                  | Время цикла записи — Word, Page | 15нс | 
                                                                                                                  | Время доступа | 700 пс | 
                                                                                                                  | Напряжение питания | 2,3 В ~ 2,7 В | 
                                                                                                                  | Рабочая температура | 0°С ~ 70°С (ТА) | 
                                                                                                                  | Тип монтажа | Поверхностный монтаж | 
                                                                                                                  | Пакет/ключи | 66-ТССОП (ширина 0,400 дюймов, 10,16 мм) | 
                                                                                                                  | Поставщик пакета оборудования | 66-ЦОП II | 
                                                                                                                  | Статус RoHS | Соответствует ROHS3 | 
                                                                                                                  | Уровень чувствительности к влаге (MSL) | 3 (168 часов) | 
                                                                                                                  | Другие имена | 706-IS43R86400E-6TL | 
                                                                                                                  | Стандартный пакет | 108 | 
                                                                                                                                      
                                                                           SDRAM - DDR ИС память 512 Мбит SSTL_2 166 МГц 700 пс 66-TSOP II