| Параметры |
| Производитель | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. |
| Ряд | Автомобильная промышленность, AEC-Q100 |
| Упаковка | Лента и катушка (TR) |
| Статус продукта | Активный |
| Тип | Неустойчивый |
| Формат памяти | ДРАМ |
| Технология | SDRAM — мобильный LPDDR2 |
| Размер | 4Гбит |
| Организация | 128М х 32 |
| Интерфейс памяти | ХСУЛ_12 |
| Тактовая частота | 400 МГц |
| Время цикла записи — Word, Page | 15нс |
| Время доступа | 5,5 нс |
| Напряжение питания | 1,14 В ~ 1,3 В, 1,7 В ~ 1,95 В |
| Рабочая температура | -40°C ~ 105°C (TC) |
| Тип монтажа | Поверхностный монтаж |
| Пакет/ключи | 168-ВФБГА |
| Поставщик пакета оборудования | 168-ВФБГА (12х12) |
| Базовый номер продукта | ИС46ЛД32128 |
| Статус RoHS | Соответствует ROHS3 |
| Уровень чувствительности к влаге (MSL) | 3 (168 часов) |
| Статус REACH | REACH не касается |
| ECCN | EAR99 |
| ХТСУС | 8542.32.0036 |
| Другие имена | 706-ИС46ЛД32128К-25БПЛА2-ТР |
| Стандартный пакет | 1 |
SDRAM — ИС мобильной памяти LPDDR2 4 Гбит HSUL_12 400 МГц 5,5 нс 168-VFBGA (12x12)