| Параметры |
| Производитель | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. |
| Ряд | Автомобильная промышленность, AEC-Q100 |
| Упаковка | Масса |
| Статус продукта | Активный |
| Тип | Неустойчивый |
| Формат памяти | ДРАМ |
| Технология | SDRAM — мобильный LPDDR4X |
| Размер | 8Гбит |
| Организация | 256М х 32 |
| Интерфейс памяти | ЛВСТЛ |
| Тактовая частота | 1,6 ГГц |
| Время цикла записи — Word, Page | 18нс |
| Время доступа | 3,5 нс |
| Напряжение питания | 1,06 В ~ 1,17 В, 1,7 В ~ 1,95 В |
| Рабочая температура | -40°C ~ 105°C (TC) |
| Тип монтажа | Поверхностный монтаж |
| Пакет/ключи | 200-ТФБГА |
| Поставщик пакета оборудования | 200-ТФБГА (10х14,5) |
| Статус RoHS | Соответствует ROHS3 |
| Уровень чувствительности к влаге (MSL) | 3 (168 часов) |
| Другие имена | 706-ИС46ЛК32256АЛ-062БЛА2 |
| Стандартный пакет | 136 |
SDRAM — микросхема мобильной памяти LPDDR4X, 8 Гбит, LVSTL, 1,6 ГГц, 3,5 нс, 200-TFBGA (10x14,5)