| Параметры |
| Производитель | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. |
| Ряд | Автомобильная промышленность, AEC-Q100 |
| Упаковка | Масса |
| Статус продукта | Активный |
| Тип | Неустойчивый |
| Формат памяти | ДРАМ |
| Технология | SDRAM-DDR4 |
| Размер | 4Гбит |
| Организация | 256М х 16 |
| Интерфейс памяти | ПОД |
| Тактовая частота | 1,2 ГГц |
| Время цикла записи — Word, Page | 15нс |
| Время доступа | 19 нс |
| Напряжение питания | 1,14 В ~ 1,26 В |
| Рабочая температура | -40°C ~ 95°C (TC) |
| Тип монтажа | Поверхностный монтаж |
| Пакет/ключи | 96-ТФБГА |
| Поставщик пакета оборудования | 96-TWBGA (7,5х13,5) |
| Статус RoHS | Соответствует ROHS3 |
| Уровень чувствительности к влаге (MSL) | 3 (168 часов) |
| Другие имена | 706-IS46QR16256B-083RBLA1 |
| Стандартный пакет | 198 |
SDRAM — ИС-память DDR4, 4 Гбит POD, 1,2 ГГц, 19 нс, 96-TWBGA (7,5x13,5)