| Параметры | 
                                                                                                                                                      | Производитель | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | 
                                                                                                                  | Ряд | Автомобильная промышленность, AEC-Q100 | 
                                                                                                                  | Упаковка | Масса | 
                                                                                                                  | Статус продукта | Активный | 
                                                                                                                  | Тип | Неустойчивый | 
                                                                                                                  | Формат памяти | ДРАМ | 
                                                                                                                  | Технология | SDRAM-DDR3 | 
                                                                                                                  | Размер | 4Гбит | 
                                                                                                                  | Организация | 256М х 16 | 
                                                                                                                  | Интерфейс памяти | Параллельно | 
                                                                                                                  | Тактовая частота | 933 МГц | 
                                                                                                                  | Время цикла записи — Word, Page | 15нс | 
                                                                                                                  | Время доступа | 20 нс | 
                                                                                                                  | Напряжение питания | 1425 В ~ 1575 В | 
                                                                                                                  | Рабочая температура | -40°C ~ 105°C (TC) | 
                                                                                                                  | Тип монтажа | Поверхностный монтаж | 
                                                                                                                  | Пакет/ключи | 96-ТФБГА | 
                                                                                                                  | Поставщик пакета оборудования | 96-ТБГА (9х13) | 
                                                                                                                  | Статус RoHS | Соответствует ROHS3 | 
                                                                                                                  | Уровень чувствительности к влаге (MSL) | 3 (168 часов) | 
                                                                                                                  | Другие имена | 706-ИС46ТР16256Б-107МБЛА2 | 
                                                                                                                  | Стандартный пакет | 190 | 
                                                                                                                                      
                                                                           SDRAM — ИС-память DDR3, 4 Гбит, параллельная, 933 МГц, 20 нс, 96-TWBGA (9x13)