Issi, инажнировананна.
Automotive (TC: OT -40 DO +95C), 8G
- Проиджоделх: Issi, ина
- NoMerPOIзVODITELEL: Issi, инажнировананна.
- Епаково: МАССА
- Theхniчeskaya opehy-fikaцian:-
- ЗapaS: 4341
- Sku: IS46TR81024B-107MBLA1
- Xenobraзavanie: Mы ofeзdali yasklючotelno giebkuю ykoankurentosposobnuю цenowuюpolityku.
| Парметр | |
|---|---|
| Млн | Issi, ина |
| В припании | Автомобиль, AEC-Q100 |
| Упако | МАССА |
| Степень Продукта | Актифен |
| ТИП ПАМАТИ | Nestabilnый |
| Формат пэмаи | Ддрам |
| Тела | SDRAM - DDR3 |
| Raзmerpmayti | 8 Гит |
| Органихая | 1G x 8 |
| ИНЕРФЕРСП | Парлель |
| ТАКТОВА | 933 мг |
| Верный | 15NS |
| Вернее | 20 млн |
| Napraheneee - posta | 1425 ЕГО ~ 1575 a. |
| Rraboч -yemperatura | -40 ° C ~ 95 ° C (TC) |
| МОНТАНАНГИП | Пефер |
| PakeT / KORPUES | 78-TFBGA |
| ПАКЕТИВАЕТСЯ | 78-TWBGA (10x14) |
| Статус Ройс | Rohs3 |
| Вернояж | 3 (168 чASOW) |
| Дрогин ИНЕНА | 706-IS46TR81024B-107MBLA1 |
| Станодар | 136 |
SDRAM - DDR3 ПАМЕРА IC 8 ГБИБА ПАРАЛЛЕЛЯ 933 MMGц 20 ns 78 -TWBGA (10x14)
Болх
- ONSEMI MM74C89N
- ONSEMI MM74C910N
- Analog Devices Inc./maxim Integrated MXD1210CSA
- ONSEMI NMC27C64N200
- ONSEMI 74F189PC
- ONSEMI 74F219PC
- ONSEMI NMC27C64Q150
- Microchip Technology 93lc56/p
- Microchip Technology 93LC56/SN
- Microchip Technology 93AA46/SN
- Microchip Technology 24C65/p
- Microchip Technology 93lc66/p
- Microchip Technology 93LC66/SN
- Microchip Technology 93AA56/SN
- Microchip Technology 93LC46/p