| Параметры |
| Производитель | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. |
| Ряд | - |
| Упаковка | Масса |
| Статус продукта | Активный |
| Тип | Неустойчивый |
| Формат памяти | ДРАМ |
| Технология | РЛДРАМ 3 |
| Размер | 1152 Гбит |
| Организация | 32М х 36 |
| Интерфейс памяти | Параллельно |
| Тактовая частота | 933 МГц |
| Время цикла записи — Word, Page | - |
| Время доступа | 8 нс |
| Напряжение питания | 1,28 В ~ 1,42 В |
| Рабочая температура | 0°C ~ 95°C (TC) |
| Тип монтажа | Поверхностный монтаж |
| Пакет/ключи | 168-ЛБГА |
| Поставщик пакета оборудования | 168-ФБГА (13,5х13,5) |
| Статус RoHS | Соответствует ROHS3 |
| Уровень чувствительности к влаге (MSL) | 3 (168 часов) |
| Статус REACH | REACH не касается |
| Другие имена | 706-ИС49РЛ36320-107ЭБЛ |
| Стандартный пакет | 119 |
ИС память RLDRAM 3 1,152 Гбит, параллельная, 933 МГц, 8 нс, 168-FBGA (13,5x13,5)