| Параметры |
| Производитель | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. |
| Ряд | - |
| Упаковка | Лента и катушка (TR) |
| Статус продукта | Активный |
| Тип | Неустойчивый |
| Формат памяти | СРАМ |
| Технология | SRAM — асинхронный |
| Размер | 8Мбит |
| Организация | 1М х 8 |
| Интерфейс памяти | Параллельно |
| Время цикла записи — Word, Page | 10 нс |
| Время доступа | 10 нс |
| Напряжение питания | 2,4 В ~ 3,6 В |
| Рабочая температура | -40°С ~ 85°С (ТА) |
| Тип монтажа | Поверхностный монтаж |
| Пакет/ключи | 48-ТФБГА |
| Поставщик пакета оборудования | 48-ТФБГА (6х8) |
| Статус RoHS | Соответствует ROHS3 |
| Уровень чувствительности к влаге (MSL) | 3 (168 часов) |
| Другие имена | 706-IS61WV10248EEBLL-10B2LI-TR |
| Стандартный пакет | 2500 |
SRAM — микросхема асинхронной памяти, 8 Мбит, параллельная, 10 нс, 48-TFBGA (6x8)